(1)切削深度ap。
在機床、工件和刀具剛度容許的環境下，ap就等于加工余量，這是提高生産率的一個有效步伐。
爲了包管零件的加工精度和外貌粗糙度，一樣平常應留肯定的余量舉行精加工。
數控機床的精加工余量可略小于平凡機床。

 

 

 

切削寬度L。
一樣平常L與刀具直徑d成正比，與切削深度成反比。
經濟型數控機床的加工進程中，一樣平常L的取值範疇爲L=(0.6～0.9)d。

 

 

 

INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z (2)切削速度V。
提高V也是提高生産率的一個步伐，但v與刀具耐用度的幹系比力密切。
隨著v的增大，刀具耐用度急劇降落，故v的選擇緊張取決于刀具耐用度。
別的，切削速度與加工質料也有很大幹系，比方用立銑刀銑削合金剛30CrNi2MoVA時，V可接納8m/min左右;而用同樣的立銑刀銑削鋁合金時,V可選200m/min以上。

 

 

 

IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z主軸轉速n(r/min)。
主軸轉速一樣平常根據切削速度v來選定。
謀略公式爲：V=pnd/1000。
數控機床的控制面板上一樣平常備有主軸轉速修調（倍率）開關，可在加工進程中對主軸轉速舉行整倍數調解。

 

 

 

INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z (3)進給速度Vf。
Vf應根據零件的加工精度和外貌粗糙度要求以及刀具和工件質料來選擇。
Vf的增長也可以提高生産效率。
加工外貌粗糙度要求低時，Vf可選擇得大些。
在加工進程中，Vf也可議決機床控制面板上的修調開關舉行人工調解，但是大進給速度要受到配置剛度和進給體系性能等的限定。

 

 

 

結束語

 

 

 

IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z隨著數控機床在生産實際中的普遍應用，量化生産線的形成，數控編程已經成爲數控加工中的要害問題之一。
在數控步調的方式進程中，要在人機交互狀態下即時選擇刀具和確定切削用量。
因此，編程人員必須熟習刀具的選擇要領和切削用量的確定原則，從而包管零件的加工質量和加工效率，充實發揮數控機床的好處，提高企業的經濟效益和生産水平。

高密度柔性線路板是整個柔性線路板的一個部門，一樣平常定義爲線間距小于200μm或微過孔小于250μm的柔性線路板。
高密度柔性線路板的應用範疇很廣，如電信、謀略機、集成電路以及醫療配置等。
  

     INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z柔性線路板獨有的特性使其在多種場所成爲剛性線路板及傳統布線方案的替代要領，同時它也推動了許多新範疇的生長。
柔性線路板增長快的部門是謀略機硬盤驅動器(HDD)內部連接線。
硬盤磁頭要在旋轉的盤片上前後移動掃描，可用柔性線路代替導線實現移動磁頭和控制線路板之間的連接。
硬盤制造商議決一種叫做“懸浮柔性板”(FOS)的技能增長産量並低沈裝置成本，別的無導線懸浮技能具有更不壞抗震性，能提高産品可靠性。
在硬盤中用到的另一種高密度柔性線路板是內部連接式柔性板(interposer  flex)，用在懸浮體和控制器之間。
 

    柔性線路板增長速度位居第二的範疇是新型集成電路封裝。
芯片級封裝(CSP)、多芯片模塊(MCM)以及柔性線路板上芯片封裝(COF)等都要用到柔性線路，此中CSP內連式線路的市場尤其巨大，因爲它可用在半導體器件和閃速存儲器上而普遍用于PCMCIA卡、磁盤驅動器、個人私流派字助理(PDA)、移動電話、傳呼機、數字攝像機及數字照相機中。
別的，液晶表現器 (LCD)、聚脂薄膜開關和噴墨打印機墨盒是高密度柔性線路板的別的三個高增長應用範疇。
 

    INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z 柔性線路技能在便攜式裝置(如移動電話)中的市場潛力非常大，這是很天然的，因爲這些配置要求體積小重量輕以迎合消耗者的需求；除此之外，柔性技能的新應用還包羅平板表現器和醫療配置，計劃人員可以利用它淘汰産品(如助聽器和人體植入裝置)的體積和重量。
 

    INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z 上述各範疇的巨大增長使得環球柔性線路板的産量也跟著增長。
如硬盤年販賣量預計在2004年將到達3.45億台，差不多是1999年的兩倍，移動電話在 2005年的銷量保守的預計也是6億部，這些增長導致高密度柔性線路板的産量預計每年將增長35%，到2002年到達350萬平方米。
雲雲高的産量需求必要有高效低成本的加工工藝，激光加工技能便是此中之一。
 

    IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z激光在柔性線路板制造進程中有三個緊張成果：加工成型(切割與切除)、切片和鑽孔。
激光作爲一種非打仗式加工東西，能在一個很小的核心(100～500μm)上施加高強度光能(650mW/mm2), 雲雲高的能量可以用來對質料舉行切割、鑽孔、作標志、焊接、劃線及其他種種加工,加工速度和質量與被加工質料性質和所用的激光特性如波長、能量密度、峰值功率、脈衝寬度及頻率等有關。
柔性線路板加工利用紫外(UV)和遠紅外(FIR)激光，前者通常接納准分子或UV二極管泵浦固態(UV-DPSS)激光器，而後者一樣平常用密封式CO2激光器。

 

 

 

圖1：矢量掃描技術採用電腦控制裝有檢流表的

反射鏡和CAD/CAM軟體產生剪裁和鑽孔圖形，並

利用遠心透鏡系統保証激光垂直照在工件外貌上

 

◆加工成型 

    INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z激光加工精度高用途廣，是舉行柔性線路板成型處理懲罰的理想東西。
不論是CO2激光還是DPSS激光，聚焦後都可以將質料加工成恣意形狀。
它議決在檢流計上安置反射鏡將聚焦後的激光束射到工件外貌任何地方(圖1)，再利用矢量掃描技能對檢流表舉行謀略機數控(CNC)，並借助CAD/CAM軟件作出切割圖形。
這種“軟東西”在計劃變動時可方便地對激光作即時控制。
利用對光縮放量和種種差別的切割東西舉行調治，激光加工可以大概精確地再現出計劃圖形，這是它的另一個顯著不壞處。
  

     矢量掃描可切割聚酰亞胺膜之類的基材，切出整個電路大概去除線路板上的某個地區如一個槽或一個方塊。
在加工成型進程中，反射鏡掃描整個加工外貌時激光束是不停打開的，這和鑽孔工藝相反，鑽孔時只有當反射鏡牢固在每個鑽孔位置後激光才打開。
 

 

◆切片 

    INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z “切片”用行話來說便是用激光從一層質料上除失另一層質料的加工進程。
這種工藝對激光再得當不外，可用與前面雷同的矢量掃描技能去除電介質，袒露下面的導電焊盤，此時激光加工的高精度再一次體現出極大的利益。
由于FIR激光射線會被銅箔反射，以是這裏通常利用CO2激光。
 

 

◆鑽孔 

    IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z雖然現在有的地方還在用呆板鑽孔、衝壓或等離子蝕刻等要領形成微通孔，但激光鑽孔還是利用得普遍的一種柔性線路板微過孔成形要領，緊張緣故原由是因爲其生産率高、機動性強及正常運行時間長。
 

    呆板鑽孔和衝壓接納高精度鑽頭和模具，能在柔性線路板上作出直徑靠近250μm的孔，但這些高精度配置非常昂貴，而且相對來說壽命較短。
由于高密度柔性線路板所需孔徑比250μm小，以是呆板鑽孔並不被看不壞。
 

    利用等離子蝕刻能在50μm厚的聚酰亞胺膜基材上作出尺寸小于100μm的微過孔，但是配置投資及工藝成本都相當高，等離子蝕刻工藝的維護費用也很高，特別是一些化學廢物處理懲罰以及易耗品等相幹費用，別的等離子蝕刻在創建新工藝時必要相當長的時間才氣作出劃一可靠的微過孔。
這種工藝的不壞處是可靠性高，據報道它作出的微過孔合格率到達98%，因此在醫療和航空電子配置中，等離子蝕刻加工還是有肯定的市場。
 

    INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z相比之下，用激光制作微過孔則是一種簡略的低成本工藝。
激光配置投資非常低，而且激光是一種非打仗式東西，不像呆板鑽孔那樣會有一筆昂貴的東西變更費用。
別的，當代密封式CO2和UV-DPSS激光器都是免維護的，可將停機時間減到小，極大地提高了生産率。
  

    在柔性線路板上孕育産生微過孔的要領與在剛性PCB上一樣，但是由于基材和厚度的差異，激光的一些緊張參數必要變化。
密封CO2和 UV-DPSS激光都可以利用同成型加工一樣的矢量掃描技能在柔性線路板上直接鑽孔，唯一的差異是鑽孔應用軟件會在掃描反射鏡從一個微過孔掃至別的一個微過孔進程中將激光關失，只有到達另一個鑽孔位置時激光束才打開。
爲了使作出的孔垂直于柔性線路板基材外貌，激光束必須垂直照在線路板基材上，這可以議決在掃描反射鏡和基材間利用遠心透鏡體系做到(圖2)。
 

 

 

 

圖2：利用UV激光在Kapton上鑽出的孔

 

    INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z CO2激光也可以接納共形掩膜技能鑽微過孔。
利用這種技能時，將銅外貌作爲掩膜，先用平凡印刷腐化要領在上面蝕刻出孔，然後將CO2激光束照在銅箔的孔上，除失那些暴袒露來的電介質質料。
 

    IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z接納准分子激光議決投影掩膜的要領也可以制作微過孔，這項技能必要將一個微過孔或整個微過孔陣列的圖像映射到基材上，然後准分子激光束照射掩膜使掩膜圖映射到基材外貌，從而將孔鑽出。
准分子激光鑽孔的質量很不壞，它的缺點是速度低、成本高。
 

 

激光選擇 

    IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z雖然加工柔性線路板的激光範例和加工剛性PCB的一樣，但材質和厚度上的差異會極大影響加工參數和速度。
有的時間可利用准分子激光和橫向鼓勵氣體(TEA)CO2激光，但是這兩種要領速度慢、維護費用高，限定了生産率的提高。
比力起來，由于CO2和UV-DPSS激光用途廣、速度快而且成本底，因此柔性線路板微過孔制作和加工成型緊張還是利用這兩種激光。
 

    INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z 與氣流型CO2激光差異，密封式CO2激光接納了塊釋放技能，使激光氣體殽雜物限定在兩個矩形電極板劃定的激光腔內，激光腔在整個利用壽命(通常約2～3年)時期都是密封的。
密封激光腔布局緊湊，不必要換氣，激禿頭可連續事情25,000小時以上而無需維護。
密封計劃的大不壞處是可以大概孕育産生快速脈衝，如塊釋放激光可發出功率峰值爲1.5kW的高頻 (100kHz)脈衝。
利用高頻率和高峰值功率可舉行快速加工而不會引起任何熱退化。
 

    UV-DPSS激光器是一種用激光二極管陣列連續吸入釩酸钕(Nd：YVO4)晶體棒的固體器件，它由一個聲光Q型開關孕育産生脈衝輸出，並用三次諧波晶體産生器變化Nd：YVO4激光的輸出，將輸出從1,064nm 

IR根本波長降爲355nm UV波長。
一樣平常環境下355nm 

UV-DPSS激光在20kHz標稱脈衝重複率下平均輸出功率在3W以上。
 

 

CO2激光 (Automation Alternatives) 

    INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z 密封CO2激光可以發射波長爲10.6μm或9.4μm的FIR激光，只管兩個波長都易于被電介質如聚酰亞胺膜基材汲取，但研究表明用9.4μm波長加工這類質料結果要不壞得多。
電介質9.4μm波長的汲取系數較高，用這一波長來鑽孔或切割質料比用10.6μm波長快。
9.4μm激光不但在鑽孔及切割時優勢明顯，切片結果也非常突出，因而利用較短波長的激光可以提高生産率和質量。
 

    一樣平常來說，FIR波長容易被電介質汲取，但是會被銅反射返來轉頭，以是絕大多數CO2激光用于電介質的加工成型、切片以及電介質基材和層壓板分層。
由于CO2激光的輸出功率比DPSS激光高，多數環境下利用CO2激光來加工電介質。
CO2激光和UV-DPSS激光每每聯合起來利用，比方在鑽微過孔時，首先用DPSS激光去失銅層，然後再用CO2激光快速在電介質層中鑽孔，直至下一個覆銅層出現再重複該進程。
 

    由于UV激光本身波長很短，以是它射出的光點比CO2激光的精致，但某些應用中CO2激光孕育産生的大直徑光點比UV-DPSS激光更有用。
比方切除槽、方塊等大面積質料或鑽大孔(直徑大于50μm)時，用CO2激光加工所需時間更短。
一樣平常來說，孔徑比50μm大時用CO2激光加工比力切合，孔徑小于50μm時則用UV-DPSS激光結果更不壞。

 

UV-DPSS激光 

    IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z電介質和銅都能很容易地汲取輸出波長爲355nm的UV-DPSS激光。
UV-DPSS激光比CO2激光的光點小而且輸出功率低，在電介質加工進程中UV-DPSS激光通常用于小尺寸(小于50μm)工藝，因此要在高密度柔性線路板基材上加工直徑小于 50μm的微過孔，用UV激光黑白常理想的。
現在已有了大功率UV-DPSS激光，可以增長UV-DPSS激光的加工和鑽孔速度。
 

    UV-DPSS激光的不壞處是其高能量UV光子照在多數非金屬外貌層上時，能直接打斷分子的鏈接，用“冷”光刻工藝使切割邊緣平滑，同時熱破壞和燒焦程度小，以是UV微切割加工實用于無法或無需舉行後處理懲罰的高要求場所。
 

MEMS體系緊張包羅微型傳感器、致動器和相應的處理懲罰單元三部門。
作爲輸入信號的天然界的種種信息，首先議決傳感器轉換成電信號，顛末信號處理懲罰後(包羅模擬/數字信號間的變動)再議決微致動器對外部天下産生作用。
傳感器可以實現能量的轉化，從而將加速度及熱等信號轉換爲體系可以處理懲罰的電信號。
致動器則是根據信號處理懲罰，控制電路發出的指令自動完成人們所必要的種種成果。
信號處理懲罰部門可以根據控制電路舉行信號轉換、放大和謀略等處理懲罰。
這一體系還可以大概以光、電、磁等情勢與外界舉行通信，並輸出信號以供表現，或與其他體系協同事情，構成一個更完備的體系。

1.MEMS的應用範疇

微呆板無疑在生物醫學、精密儀器，特別是空間狹窄、操作精度高、成果高度集成的航空航天機載配置範疇有巨大的應用潛力，被認爲是一項面向21世紀可以普遍應用的新興技能。
微體系的應用緊張可以分爲以下四個方面：

(1)微型構件　議決微細加工技能加工出的三維微型構件有：微齒輪、微電動機、微渦輪、微光學器件、微軸承、微彈簧等。
它們都是微體系的根本呆板部件。
微呆板的計劃和加工水平的不停提高，可以制造出越來越精致的微型構件。

(2) 微傳感器　微傳感器是普遍利用的MEMS器件。
傳感器是一種將能量從一種情勢轉變成爲另一種情勢、並針對特定可測量的輸人爲用戶提供一種可用的能量輸出的器件。
緊張傳感器範例有：聲波傳感器、生物醫學傳感器和生物傳感器、化學傳感器、光學傳感器、壓力傳感器、熱傳感器等。

(3)微致動器　微致動器要求在動力源的驅動下可以大概完成所必要的舉措，常用的微致動器有微閥、微泵、微開關、微諧振器等。
微體系驅動常用的驅動要領有：熱力驅動、形狀影象合金驅動、壓電晶體驅動以及靜電力驅動等。

(4)微型器件及體系　應用較多的是醫療及外科手術配置，如人造器官、體內施藥及取樣微型泵等。
微型呆板人(見圖1)。
航空航天範疇中的微型導航體系、微型衛星、微型灰機(見圖2)等，以及微光學體系、微流量測量控制體系、微氣相色譜儀、生物芯片、仿生器件等。

 

 

 

 

2.微細加工及其要害技能

IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z隨著微機電體系的生長，微型制造技能作爲實現MEMS技能的要害也開始引起天下發達國家的質料科學事情者和工業界的極大關注。
要想加工出精密的微機電器件，必須要具備相應微細加工技能。

現在，常用的有以下要領：

INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z (1) 光刻術(Photolithography)　這種要領首先在基質質料上塗覆光致抗蝕劑(光刻膠)，然後利用極限辨別率極高的能量束來議決掩膜對光致蝕層舉行曝光(或稱光刻)。
顯影後，在抗蝕劑層上得到了與掩膜圖形雷同的極微細的多少圖形。
末了再利用其他要領，便可在工件質料上制造出微型布局。
現在光刻術中緊張接納的曝光技能有：電子束曝光技能、離子束曝光技能、X射線曝光技能和紫外准分子曝光技能。

(2)蝕刻技能　蝕刻通常分爲等向蝕刻和異向蝕刻。
等向蝕刻可以制造恣意橫向多少形狀的微型布局，高度一樣平常爲幾微米，僅限于制造平面形布局。
異向蝕刻可以制造較大縱深比的三維空間布局，其深度可達幾百微米。
①化學異向蝕刻。
化學蝕刻具有奇特的橫向欠蝕刻特性，可以使質料蝕刻速度依賴于晶體取向的特點得以充實發揮。
單晶矽具有結晶偏向差別的結晶面，在堿性溶液中各結晶面之間存在著顯著差別的蝕刻速度。
議決矽的可控摻雜法引入一個非常有效的蝕刻制止層，克制蝕刻的舉行，實現有選擇的蝕刻來制造微布局。
②離子束蝕刻。
離子束蝕刻又分爲聚焦離子束蝕刻和應聲離子束蝕刻。
聚焦離子束蝕刻在離子密度爲A/cm2數量級時，能孕育産生直徑爲亞微米的射束，可對工件外貌直接蝕刻，且可精確控制射束的密度和能量。
它是議決人射離子向工件質料外貌原子轉達動量而到達逐個蝕除工件外貌原子的目的，因而可到達納米級的制造精度。
應聲離子束蝕刻是一種物理化學應聲的蝕刻要領。
它將一束應聲氣體的離子束直接引向工件外貌，産生應聲後形成一種易揮發又易靠離子動能而加工的産物，同時議決應聲氣體離子束濺射作用到達蝕刻的目的。
是一種亞微米級的微加工技能。
③激光蝕刻。
激光蝕刻通常接納YAG激光和准分子激光。
現在常用的有氟化氩准分子激光和氟化氙准分子激光。
氟化氩准分子激光器所孕育産生的遠紫外線激光束蝕刻塑料之類的聚合物硬質料，不但可以蝕刻出極其微細的線條，而且不孕育産生熱量，質料受光束核心作用處的四周沒有熱擴散和燒焦征象。
這種准分子激光器所孕育産生的遠紫外線，其波長爲193nm，重複頻率爲1Hz或大于1Hz，脈衝寬度爲12ns。
一個脈衝即可蝕刻出幾微米的溝槽。
利用這種激光脈衝，可以大概把質料逐層剝下來蝕刻出微細的線條。
氟化氙准分子激光器孕育産生的近紫外線的波長爲 300nm，其蝕刻進程是，放在氯氣中的矽片受到激光輻射後，氯分子分析爲氯原子，與此同時，矽片上受激光輻射的電子附在氯原子上，形成帶負電荷的氯離子，又與帶正電荷的矽原子産生化學應聲，形成一種四氯化矽的揮發性氣體，議決應聲器除失四氯化矽，提供奇怪氯氣，于是矽片受到腐化，不必要感光膠就能得到所必要的圖形。

INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z (3)LIGA技能　LIGA是由德文Lithographie(光刻)、Galvanoformung(電鑄成形)和 Abformung(注塑)這三個詞生成的縮寫詞，是一種快速微制造技能。
LIGA技能所加工的多少布局不受質料特性和結晶偏向的限定，可以制造由種種金屬質料、塑料制成的微呆板。
因此較之矽質料的加工技能有了一個很大的飛躍。
LIGA技能可以制造具有很大縱橫比的三維布局。
縱向尺寸可達數百微米，小橫向尺寸爲1μm。
尺寸精度達亞微米級，而且有很高的垂直度、平行度和重複精度。
LIGA技能包羅以下三個工藝進程：①深層同步輻射X射線光刻。
利用同步輻射X射線透過掩膜對牢固于金屬基底上的厚度可達0.5mm的X射線抗蝕劑(光刻膠)舉行曝光，然後將其顯影制成初級模板，該模板即爲掩膜包圍的未曝光部門的抗蝕劑層，具有與掩膜圖形雷同的平面多少圖形。
②電鑄成形。
電鑄成形是用電沈積的要領在胎模上沈積金屬以形成零件，胎模爲陰極，要電鑄的金屬作陽極。
在 LIGA技能中，把托載初級模板(抗蝕劑布局)的金屬基底作爲陰極，所要成形的微布局金屬質料(Ni，Cu，Ag)作爲陽極。
電鑄後，將它們整個浸入剝離溶劑中，對初級模板舉行腐化剝離，剩下的金屬布局即爲所需求的微布局件。
③注塑。
將電鑄制成的金屬微布局作爲二級模板，將塑性質料注入二級模板的模腔，形成微布局件，從金屬模中提出。
也可用形成的布局件作爲模板再舉行電鑄，應用LIGA技能舉行三維微布局件的批量生産。

(4)捐軀層技能　捐軀層技能也叫疏散層技能。
捐軀層技能是在矽基板上，用化學氣相沈積要領形成微型部件，在部件四周的清閑上添入疏散層質料，末了以溶解或刻蝕法去除疏散層，使微型部件與基板疏散，此技能也可以制造與基板略微連接的微呆板。

(5)外延技能　外延生長是微呆板加工的緊張本事它的特點是生長的外延層能連結與襯底雷同的晶向，因而在外延層上可以舉行種種橫向與縱向的摻雜散布與腐化加工，以制得種種布局。

(6) 特種微細加工技能　①微細電火花加工。
微細電火花加工的原理與平凡電火花加工並無素質區別。
實現微細電火花加工的要害在于微小軸(東西電極)的制作、微小能量放電電源、東西電極的微量伺服進給、加工狀態檢測、體系控制及加工工藝要領等。
應用微細電火花加工技能，現在已可加工出直徑2.5μm的微細軸和 5μm的微細孔，可制作出長0.5mm、寬0.2mm、深0.2mm的微型汽車模具，並用其制作出了微型汽車模型。
可制作出直徑爲0.3mm、模數爲 0.1mm的微型齒輪。
②微細電解加工。
電解加工是一種利用金屬陽極電化學溶解原理往複除質料的制造技能，質料去除因此離子溶解的情勢舉行的，這種微去除技能使得電解加東西有微細加工的大概。
有人議決低沈加工電壓和電解液濃度，告成地將加工問隙控制在10μm以下。
接納微動進給和金屬微管電極，在 0.2mm的鎳板上加工出了0.17mm的小孔。
③微細超聲加工。
隨著晶體矽、光學玻璃、工程陶瓷等硬脆質料在微呆板中的普遍應用，硬脆質料的高精度三維微細加工技能已成爲一個緊張的研究課題。
現在可用于硬脆質料加工的要領緊張有光刻加工、電火花加工、電解加工、激光加工和超聲加工等。
利用超聲做細加工技能，用工件加振的事情要領在工程陶瓷質料上加工出了直徑小爲5μm的微孔。
④微細激光成形加工。
微細激光成形加工與傳統的特種加工要領差異，激光成形加工不是將質料去除，而是議決質料添加的要領實現成形加工。
根據加工質料和機理的差異，激光成形加工可以分爲光固化成形、選擇性激光燒結成形、分層實體造型等多種範例。

INA交叉滚子导轨滑台HIR交叉导轨VR1-50HX13Z VR2-120HX21Z (7)分子裝置技能　(Molecular Assemblage) 掃描隧道效應顯微鏡(STM)和原子力顯微鏡(AFM)具有0.01μm的辨別率，是現在天下上精度高的外貌形貌觀察儀。
利用其測針的可以俘獲分子或原子，並且可以根據必要拼成肯定的布局，舉行分子裝置制作微呆板。
美國某公司1991年利用氙原子，在鎳板上拼出了“IBM”的字樣(見圖3)和美國地圖。
我國中科院近代化學研究所也拼出了“原子”字樣(見圖4)和中國地圖。
分子裝置技能是一種納米級微加工技能，是一種從物質的微觀角度來布局微布局，制作微呆板的要領。

 

 

 

IKO交叉滚柱导轨HIR滑轨VR6-150HX10Z VR6-600HX41Z(8) 集成機構(Integrated Mechanism)制造技能　近來，微呆板出現了一個新的生長趨勢，即利用大範圍集成電路的微細加工技能，將種種精良的微機構，如：微致動器、微傳感器、微控制器等集成在一個矽片上。
它可以將傳統的無源機構變爲有源機構，又可制成一個完備的機電一體的微呆板體系，整個體系的尺寸可望縮小到幾毫米至幾百微米。